Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

недоступно к заказу
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Артикул
1159000
Издательство
Серия
Вузовская и профессиональная литература. Информационные технологии
Тип обложки
твердый переплёт
Автор
Штрих код
9785996306336
Год
Страниц
304
Язык
Русский
Размеры
145x215 мм
Вес
386 гр.
Импортер
ООО «Абрис-Бел». 220112, РБ, г. Минск, ул. Cырокомли 7-167
Отзыв к товару «Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения»
Отзывы
Меню
Каталог товаров