Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

Name: Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Brand: Техносфера
SKU: 1103979
Availability: OutOfStock

(0 отзывов)

недоступно к заказу

Добавить в лист ожидания

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.

Артикул

1103979

Издательство

Техносфера

Тип обложки

твердый переплет

Автор

Красников Геннадий Яковлевич

Штрих код

9785948362892

Год

2011